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发明名称 MANUFACTURE OF INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS6432676(A) 申请公布日期 1989.02.02
申请号 JP19870187835 申请日期 1987.07.29
申请人 NEC CORP 发明人 SAKAI ISAMI
分类号 H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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