| 发明名称 |
EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS6425516(A) |
申请公布日期 |
1989.01.27 |
| 申请号 |
JP19870182518 |
申请日期 |
1987.07.22 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
KUBO MINORU;OGURA MOTOTSUGU |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;H01L21/208 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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