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<P>Ce procédé de croissance consiste à soumettre le subs- trat en matériau III-V ou II-VI d'orientation [100], simultanément à l'apport en espèces chimiques donnant les éléments entrant dans la composition de ladite couche à épitaxier, à une série d'impulsions thermiques 5 en forme de créneaux comportant alternativement des paliers de température T1 et des paliers de température T2 supérieures à la température ambiante, avec T1<T2, l'apport en espèces chimiques 1a donnant l'élément III ou II de la couche à épitaxier étant effectué pendant que le substrat est à la température T1 et l'apport en espèces chimiques 3a donnant l'élément V ou VI de la couche étant effectué pendant que le substrat est à la température T2. Le dopage des couches peut se faire par apport d'éléments chimiques ad-hoc pendant le cycle T1 ou T2 pour des couches de type respectivement p ou n.</P>
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