用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法

摘要

用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法包括：提供至少含有汽化的有机硅化合物，氧和惰性气体的气流；在预先抽空的反应室中产生来源于该气流的等离子体，将基片可移动地置于其中；淀积时，用非平衡磁控管约束基片附近的等离子体，以提高离子流量；使气流可控地流入等离子体中。该方法以商业上可行的淀积速率，在小的和大的基片上可重复地淀积粘附的、硬质的和基本上无机的氧化硅基薄膜，该薄膜以高质量的交键连接为特征。

主权项

1、一种淀积附着的氧化硅基薄膜的方法，其特征在于包括： 提供一种含有汽化的有机硅化合物，氧气和惰性气体的气流， 在预先抽空的反应室中产生来源于所述气流的辉光放电等离子体，该反应室含有在等离子体中可移动位置的基片，以及 将所述气流注入等离子体中，以便在位于该等离子体中适当位置的基片上淀积氧化硅，所淀积的氧化硅是所述气流的反应产物，在淀积过程中，所述反应室保持低于大约100微米的压强。