用四氮化三硅涂层制造太阳电池的方法

摘要

转换效率达12.5％至16％的硅太阳电池的制造方法，包括在邻近硅衬底的前部表面形成P/N结，对衬底的前部表面进行选择的等离子表面蚀刻处理，并通过两个步骤等离子处理在被蚀刻的前部表面形成多硅氮烷涂层。该多硅氮烷涂层被加以蚀刻以形成栅格电极图形。在该衬底的后部侧边涂敷以铝涂层，以便形成后电极。将该铝涂层加热使得与硅衬底合金化，并从而形成欧姆接触。衬底的前部表面的暴露的硅用导电良好的金属的粘附层涂敷以形成栅极。

主权项

1.制造固态半导体器件的方法，其特征在于，包括如下步骤： a)提供一具有第一和第二对置表面的硅衬底； b)在所述衬底邻近于所述第一表面处形成一P/N结； c)对所述第一表面进行等离子表面处理以便将所述第一表面的一部 分蚀刻掉； d)对所述第一表面进行等离子处理，该等离子处理包括(甲)用以 产生氢注入的氨等离子处理及(乙)混合硅烷和氨等离子处理用以产生 额外的氢注入和形成多硅氮烷涂层； e)在所述多硅氮烷涂层中蚀刻一预定的二维图形，使得所述第一表 面的选择的部分不被所述多硅氮烷涂层所掩蔽； f)对所述第二对置表面涂敷铝涂层； g)将所述硅衬底加热到一温度历经一足以使所述铝涂层的铝成分与 所述硅衬底合金化； h)在所述第一表面的选择的部分和所述铝涂层涂敷一导电金属涂层。