发明名称 一种非接触式微波测量半导体材料少子寿命的装置
摘要 本发明提供了一种用介质波导加红外光源非接触测试半导体材料少子寿命及电阻率的装置。该装置的测试结果与常规的有接触方法一致、操作简便,能够测量不同厚度片状样品的少子寿命以及同一样品上不同部位少于寿命的差异。由于是非接触测试,对于抛光片、离子注入片以及经过各种化学处理的半导体薄片尤为适宜,能够做到无损伤、无沾污。在集成电路、半导体器件的生产过程中可用作材料检验和工艺监控的重要手段。
申请公布号 CN1003094B 申请公布日期 1989.01.18
申请号 CN86101518 申请日期 1986.07.25
申请人 复旦大学 发明人 王宗欣
分类号 G01N22/00 主分类号 G01N22/00
代理机构 上海高校专利事务所 代理人 王福新;楼涛
主权项 1.一种非接触式微波测量半导体材料少子寿命的装置,由微波源、光源、测试头子及微波检测器四部分组成,本发明的特征在于:该装置的测试头子由以下三个部件组成:a.上部件[1],其水平方向上的一端是一个呈尖劈形的介质波导一波导过渡,它接在检波器波导[7]的波导口内,上部件的中间为矩形截面的介质波导,它的另一端是一个直角弯角,弯角与测试平台的台面垂直,在弯角的垂直部分开有一个上大下小的穿通圆孔[2],圆孔的上方为光源[9],垂直部分的底端为带圆孔的矩形测量面。b.下部件[4]的顶端与上部件[1]的垂直部分的底端的截面大小相同、位置对准,中间为同样截面的矩形介质波导,下部件[4]的另一端为一个呈尖劈形的波导一介质波导过渡,它接在与微波源相连的衰减器波导[6]的波导口内。c.放置样品的介质测试平台[3],位于上部件弯角的垂直部分的底端和下部件[4]的顶端之间:测试平台[3]的下方开有一个大于下部件[4]中介质波导矩形截面的圆型或矩形凹穴,用以容纳下部件[4]的介质波导,上方为一放置待测样品[5]的平面。
地址 上海市邯郸路220号