METHOD FOR GROWING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL ON SI SUBSTRATE,申请号JP19870165694-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR GROWING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL ON SI SUBSTRATE
摘要
申请公布号	JPS649895(A)	申请公布日期	1989.01.13
申请号	JP19870165694	申请日期	1987.07.01
申请人	NEC CORP	发明人	MATSUMOTO TAKU
分类号	C30B25/14;C30B29/40;H01L21/205	主分类号	C30B25/14
代理机构		代理人
主权项
地址