MATERIAL-SAVING PROCESS FOR PRODUCING CRYSTALLINE SOLID SOLUTIONS

摘要

Selon un procédé de fabrication de solutions solides cristallines, notamment de semiconducteus III-IV, au moins un composant de la solution solide provenant d'une source se volatilise dans un réacteur, est mélangé dans une phase gazeuse contenant des composés d'hydrogène ou de chlore avec les autres composants de la solution solide cristalline, est transporté jusqu'à un substrat et précipité sur celui-ci. Selon ce procédé, on fait varier la pression totale entre 80 mbar et 1 mbar environ afin de modifier le taux de croissance dans une plage comprise entre 1 mum/h et 500 mum/h environ.