Contacting process between two conducting layers deposited on a substrate.

摘要

La présente invention concerne un procédé de contact entre deux couches conductrices ou semiconductrices déposées sur un substrat. Ce procédé comporte les étapes suivantes: - dépôt et gravure de la première couche (2), - dépôt d'une couche isolante (3) dans des conditions de pression et température telles que la couche isolante soit amincie dans la région des flancs des zones gravées de la première couche par rapport à l'épaisseur sur la surface du substrat et sur les surfaces des zones gravées de la première couche, - gravure chimique de la couche isolante sur une épaisseur au moins égale à l'épaisseur amincie mais nettement inférieure à l'épaisseur ailleurs, - dépôt et gravure de la deuxième couche conductrice ou semiconductrice (5) dans des conditions de pression et température aboutissant à un fort pouvoir couvrant. Application aux circuits intégrés.