Process for the production de components based on silicon oxycarbide.

摘要

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Formteilen auf Basis von Siliciumoxycarbid, das dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Formteil, enthaltend 50 bis 90 Gew.-% Siliciumoxycarbid mit einer mittleren Teilchengröße von 0,5 bis 50 µm und 10 bis 50 Gew.-% Siliconharz der allgemeinen Formel ?CH3SiOx(OR)y(OH)z ?n, wobei R ein Methyl, Ethyl, iso-Propyl oder n-Butylrest sein kann und x im Bereich von 1,4 bis 1,5, y im Bereich von 0 bis 0,08, z im Bereich von 0 bis 0,08 und n im Bereich von 20 bis 40 liegt, unter nichtoxidierender Atmosphäre oder im Vakuum bei Temperaturen im Bereich von 700 bis 1500 °C umgesetzt wird.