High-density memory cell and process for manufacturing.

摘要

Hochintegrierbare Speicherzelle, bestehend aus einem an einer Bitleitung (18) liegenden Feldeffekttransistor (T) mit einem über eine Wortleitung ansteuerbaren Gate (17) und aus einem Speicherkondensator, der durch die Wandung eines Grabens (2) und eine Gegenelektrode (13) gebildet wird. Dabei ist der außerhalb des Grabens (2) liegende aktive Bereich der Speicherzelle streifenförmig ausgebildet. Die stirnseitige Begrenzung desselben bildet nur einen Teil des Grabenrandes (2), während der übrige Teil des Grabenrandes (2) vom Feldoxidbereich (11) umgeben ist.