发明名称 | 一种离子轰击减薄装置 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种新的离子轰击减薄装置,它既可以选用氩离子束流轰击样品,又可以选用碘离子束流轰击样品,设在样品室两侧的碘蒸气升华腔为形成碘离子束提供碘蒸气流。利用这种装置能够制备更多种材料的薄膜样品,满足透射电子显微镜的观测需求。 | ||
申请公布号 | CN88206944U | 申请公布日期 | 1988.12.28 |
申请号 | CN88206944 | 申请日期 | 1988.06.17 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王凤莲;褚一鸣;陆珉华 |
分类号 | G01N1/28 | 主分类号 | G01N1/28 |
代理机构 | 中国科学院专利事务所 | 代理人 | 卢纪 |
主权项 | 1、一种供制备透射电子显微镜观测样品用的离子轰击减薄装置,其特征为,在所设样品室两侧各接一个气流选通阀,选通阀的一个气流选择通道连通样品室与设在两侧的氩气入口,它的另一选择通道连通样品室与设在两侧的碘蒸气升华腔。 | ||
地址 | 北京市912信箱 |