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<p>Ein Photodetektor mit einer Halbleiterstruktur in einem Substrat (1) ist für Licht im ultravioletten und blauen Bereich besonders hoch empfindlich. Er weist die durch ein Eintrittsfenster (2) eindringende Strahlung (5) in einem Detektorvolumen nach, dessen Tiefe der Eindringtiefe der kurzwelligeren Strahlung (5) entsprechend zwischen 50 nm bis 300 nm durch eine Potentialschwelle von mindestens 0.1 eV begrenzt ist. Bei der Herstellung des Photodetektors durch gezielte Diffusion oder durch gezielte Ionenimplantation ausgebildetes Gefälle der Konzentrationen der Fremdatome in der Schicht (8) hinter dem Eintrittsfenster (2) erzeugt die für die spektrale Empfindlichkeit des Photodetektors massgebende Potentialschwelle. Durch die langwelligere Strahlung (5) im Substrat (1) erzeugte Ladungsträger werden durch die Potentialschwelle vom Detektorvolumen abgetrennt und rekombinieren im Substrat (1). Das Eintrittsfenster (2) kann als eine Antireflexionsschicht (24) oder ein Interferenzfilter ausgebildet sein.</p> |
