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<P>L'invention concerne une mémoire EPROM comportant une matrice de cellules mémoires constituées de transistors MOS 1 à grille flottante 2. Certaines cellules-mémoires ont été programmées électriquement de sorte que des électrons sont piégés sur la grille flottante des transistors MOS correspondants.</P><P>Le drain 3, la source 4 et le canal 8 d'une cellule mémoire à effacer, étant réunis on leur applique une série de plusieurs créneaux de tension d'amplitude positive par rapport à la grille de commande de sorte que les électrons piégés acquièrent de l'énergie qui leur permet de quitter la grille flottante 2 vers le substrat 5. La cellule est ainsi effacée.</P><P>Application aux mémoires EPROM.</P>
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