Semiconductor device with capacitive read out of the charge carriers and having an integrated bias supply.

摘要

Bei einem Halbleiterdetektor mit einem vollständig oder teilweise verarmten Grundgebiet einer ersten Leitfähigkeit, an das eine Vorspannung angelegt ist, und mit mindestens einer Ausleseelektrode, an der die durch die einfallende Strahlung erzeugten Ladungsträger ein Signal erzeugen, werden folgende Merkmale vorgeschlagen: 1. Die Ausleseelektrode (A) besteht aus einem hochdotierten Gebiet der ersten oder zweiten Leitfähigkeit, auf dem eine Isolationsschicht und darauf eine leitende Elektrodenschicht aufgebracht ist, an der die influenzierten Signale abnehmbar sind, und 2. die Spannungsführung an das hochdotierte Gebiet der Ausleseelektrode erfolgt hochohmig über das Grundgebiet des Detektors von mindestens einer Elektrode (B) der gleichen Leitfähigkeit wie die Ausleseelektrode. Dadurch wird erreicht, daß eine kapazitive Auskopplung auch bei komplexem Aufbau in einfacher Weise möglich ist.