| 发明名称 |
SOSTRATO MONOCRISTALLINO DI SILICIO AD ALTO CONTENUTO DI OSSIGENO PER DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI E PROCEDIMENTO PER PRODURLO |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1198454(B) |
申请公布日期 |
1988.12.21 |
| 申请号 |
IT19860048592 |
申请日期 |
1986.10.28 |
| 申请人 |
SONY CORP. |
发明人 |
SUZUKI TOSHIHIKO;KATO YASABURO;FHTAGAMI MOTONOBU |
| 分类号 |
C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20;C30B15/30;H01L21/18;H01L21/208;H01L21/322;(IPC1-7):C01G/ |
主分类号 |
C30B29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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