| 发明名称 |
CIRCUIT DE REMISE SOUS TENSION POUR CIRCUIT INTEGRE EN TECHNOLOGIE MOS |
| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un circuit de remise sous tension pour assurer le démarrage d'un circuit intégré en technologie MOS. Ce circuit est constitué par des premiers moyens 1 formés d'un oscillateur 4 et d'un élévateur de tension 5 pour générer à partir d'une tension d'alimentation Vc c une tension Vc c p supérieure à ladite tension d'alimentation et un deuxième moyen 2 pour mesurer l'écart entre la tension d'alimentation et la tension générée et pour générer un signal S de mise sous tension lorsque l'écart atteint un seuil donné.</P><P>Application notamment aux circuits intégrés contenant des bascules.</P>
|
| 申请公布号 |
FR2616602(A1) |
申请公布日期 |
1988.12.16 |
| 申请号 |
FR19870008190 |
申请日期 |
1987.06.12 |
| 申请人 |
THOMSON SEMICONDUCTEURS |
发明人 |
BRUNO DUBUJET |
| 分类号 |
H03K5/02;H03K17/22;(IPC1-7):H03K19/003 |
主分类号 |
H03K5/02 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
