| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE D'ISOLANT ENTERREE DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR PAR IMPLANTATION IONIQUE ET STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE COMPORTANT CETTE COUCHE |
| 摘要 |
<P>Procédé de fabrication d'une couche d'isolant enterrée dans un substrat semi-conducteur par implantation ionique et structure semi-conductrice comportant cette couche.</P><P>Selon l'invention, la structure semi-conductrice comporte une couche d'oxyde de silicium 104, intercalée entre un substrat en silicium 102 et un film de silicium 106, obtenue par implantations successives d'ions oxygène dans le substrat, à des doses inférieures à 1,5.10**1**8 ions/cm**2, chaque implantation étant suivie d'un recuit supérieur à 1110 degre(s)C. Le film semi-conducteur 106 comporte un taux de dislocations inférieur à 10**o par cm**5 et la couche d'oxyde 104 est parfaitement homogène.</P>
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| 申请公布号 |
FR2616590(A1) |
申请公布日期 |
1988.12.16 |
| 申请号 |
FR19870008272 |
申请日期 |
1987.06.15 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
JACQUES MARGAIL;JOHN STOEMENOS |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/95 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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