| 摘要 |
Un circuit MOS complémentaire (50) pourvu d'un seuil d'entrée comprend un premier transistor à effet de champ (52) comportant une source connectée à une première borne d'alimentation (54), un drain connecté à une borne de sortie (56), une gâchette connectée entre la source et le drain et ayant une première largeur et une première longueur. Un circuit de transistors à effet de champ programmable (60, 64, 66, 68, 70) comprend une borne de gâchette connectée à la borne d'entrée (58), une borne de drain connectée à la borne de sortie (56), une borne de source connectée à une seconde borne d'alimentation (62) et un second circuit de canaux placé entre la borne de drain et la borne de source et ayant une largeur effective et une longueur effective. Des bornes d'entrée programmables (76, 78) sont connectées au second circuit de canaux pour permettre de faire varier le rapport du produit de la première largeur multipliée par la longueur effective sur le produit de la largeur effective multipliée par la première longueur, de sorte que la tension du seuil d'entrée du circuit MOS (50) varie avec la variation de ce rapport. En programmant les bornes d'entrée (76, 78) et en sélectionnant les tensions sur les premières et secondes bornes d'alimentation (54, 62), on peut obtenir un tampon d'entrée universel servant à la conversion d'une seule tension de niveau logique en une autre. |
