| 发明名称 |
EEPROM MEMORY CELL WITH TWO LEVELS OF POLYSILICON AND A TUNNEL OXIDE ZONE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0271932(A3) |
申请公布日期 |
1988.12.07 |
| 申请号 |
EP19870202038 |
申请日期 |
1987.10.23 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.P.A. |
发明人 |
RIVA, CARLO |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/78;H01L27/10 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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