Process for the manufacture of a full self-aligned bipolar transistor.

摘要

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines voll selbstjustierten Bipolartransistors, bei dem Emitter (19)-, Basis (15)- und Kollektorzone (3) in vertikaler Richtung im Siliziumsubstrat (1) angeordnet sind und der Kollektor (3) über einem tiefreichenden Anschluß (2) im Substrat (1) angeschlossen ist, wird zur Trennung der inaktiven Basiszone (13) von Kollektor (3) die inaktive Basiszone (13) versenkt in einem Isolationsgraben angeordnet. Die Emitteranschlußzone (16) besteht aus dotiertem polykristallinem Silizium und ist von der inaktiven Basiszone (13) durch ein, durch lokale thermische Oxidation erzeugtes Siliziumoxid (14) getrennt. Auf diese Weise wird ein voll selbstjustierter Bipolartransistor geschaffen, bei dem der Emitter selbstjustiert zur Basis und die Basis selbstjustiert zur Isolation (9) hergestellt wird.