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<P>Le photosenseur à structure de transfert de trame est tel que chaque pixel constituant la matrice de points photosensibles est pourvu d'un transistor MOS commandé en impulsions, à la fin du transfert de trame le TMOS est commandé via les électrodes VG A et VD A , pour éliminer les charges résiduelles présentes dans la zone photosensible et dues au transfert d'étages vides correspondant aux zones sombres de l'image dans les étages sous les zones éclairées.</P><P>L'invention s'applique, notamment, aux capteurs d'images utilisés pour la poursuite de cibles.</P>
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