| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildumkehr von normalerweise positiv arbeitenden Photoresistmaterialien, bei dem man in der Schicht eine Verbindung, wie ein Onium-Salz, einsetzt, die bei Belichtung Säure abspaltet, die bei nachfolgender Erwärmung von einem vorhandenen hydrophoben Polymer mit z.B. Imid-, Hydroxyl- oder Carboxyl-Substituenten Gruppen, wie Butyloxycarbbonyl- oder Benzyloxycarbomyl-Gruppen, abspaltet, wodurch das Polymer in wäßrig alkalischer Lösung löslich wird, bestehend aus den Verfahrensschritten: a. der bildmäßigen Belichtung der auf einem Substrat befindlichen Photoresistschicht, die ein Gemisch aus einer bei Belichtung Säure abspaltenden Verbindung und einem Polymer, das mit Säure abspaltbare Gruppen besitzt enthält, b. der Behandlung der Photoresistschicht mit einer gasförmigen Base, um die erzeugte Säure unter Salzbildung zu neutralisieren, c. dem Entfernen der überschüssigen Base, d. der ganzflächigen Belichtung der Photoresistschicht zur photochemischen Bildung von Säure in den bildmäßig nicht belichteten Bereichen, e. dem Erwärmen der belichteten Photoresistschicht unter Abspalten der abspaltbaren Gruppen des Polymers in den bildmäßig nicht belichteten Bereichen und f. der Entwicklung in einer wäßrig alkalischen Lösung zum Entfernen der bildmäßig nicht belichteten Bereiche. Hierdurch können Bilder erhalten werden, die die relativen Vorteile positiver Resists, wie bessere Auflösung oder geingeres Quellen der Strukturen aufweisen.</p> |
