发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
一个半导体器件包括:一个半导体基片(1),在其一个主表面(2)上有一个与主电极相接触的区域和一个与控制电极相接触的区域;一个主电极(3)和一个控制电极(4),它们均与半导体基片(1)相接触;以及一个控制电极引出线(7)。主电极(3)具有一个凹槽(5),在该凹槽中设置:控制电极(4);一个将该控制电极(4)压在半导体基片(1)上的弹簧(6);及一个分立的绝缘体(8),它将控制电极(4)与主电极(3)互相电绝缘。 |
申请公布号 |
CN88101587A |
申请公布日期 |
1988.11.30 |
申请号 |
CN88101587 |
申请日期 |
1988.03.25 |
申请人 |
BBC勃朗·勃威力有限公司 |
发明人 |
彼得·阿尔曼拉德;吉利·德劳希;于尔格·芬格勒;奥托·库恩 |
分类号 |
H01L29/60;H01L29/74;H01L23/48 |
主分类号 |
H01L29/60 |
代理机构 |
中国专利代理有限公司 |
代理人 |
程天正;肖掬昌 |
主权项 |
1、一种半导体器件,包括:a)一个半导体基片(1),b)该基片的一主表面(2)上有一个与主电极(3)相接触的区域和一个与控制电极(4)相接触的区域,c)一个与半导体基片(1)相接触的主电极(3)和d)一个与半导体基片(1)相接触的控制电极(4),e)按此布局,主电极(3)具有一个凹槽(5),f)在凹槽之内容纳控制电极(4)和g)一个用以将控制电极(4)压向半导体基片(1)的弹簧(6),h)一个控制电极引出线(7)。其特征在于:i)一个分立的绝缘体(8)将控制电极(4)与主电极(3)相绝缘,k)控制电极(4)可在垂直于主电极(3)的方向上相对于绝缘体(8)位移。 |
地址 |
瑞士巴登 |