发明名称 |
PROCESS AND DEVICE FOR GENERATING MATERIAL STRUCTURES OF ATOMIC DIMENSIONS. |
摘要 |
Afin de générer avec un mince faisceau électronique des structures superficielles de dimensions atomiques sur la surface d'un substrat électriquement conducteur ou semiconducteur, on génère avec un microscope de balayage à effet de tunnel une densité locale élevée de courant d'électrons de tunnel à l'échelle de l'électron-volt dans des zones sélectionnées de dimensions nanométriques de la surface du substrat, induisant thermiquement des changements de phase qui peuvent être amorphe/cristalline, magnétique/non-magnétique ou supraconductrice/non-supraconductrice. On peut également générer et détecter de manière reproductible des structres topographiques nanométriques à des emplacements prédéterminés. On peut utiliser ce procédé et un dispositif de mise en oeuvre du procédé pour produire des structures d'enregistrement d'informations ayant une densité d'enregistrement jamais atteinte auparavant. |
申请公布号 |
EP0292519(A1) |
申请公布日期 |
1988.11.30 |
申请号 |
EP19870907732 |
申请日期 |
1987.12.07 |
申请人 |
LASARRAY HOLDING AG |
发明人 |
STAUFER, URS;WIESENDANGER, ROLAND;ENG, LUKAS;ROSENTHALER, LUKAS;HIDBER, HANS, RUDOLF;GRUETTER, PETER;GUENTHERODT, HANS-JOACHIM |
分类号 |
G03F7/20;G11B5/00;G11B9/00;H01J37/317;(IPC1-7):H01J37/317 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|