发明名称 PROCESS AND DEVICE FOR GENERATING MATERIAL STRUCTURES OF ATOMIC DIMENSIONS.
摘要 Afin de générer avec un mince faisceau électronique des structures superficielles de dimensions atomiques sur la surface d'un substrat électriquement conducteur ou semiconducteur, on génère avec un microscope de balayage à effet de tunnel une densité locale élevée de courant d'électrons de tunnel à l'échelle de l'électron-volt dans des zones sélectionnées de dimensions nanométriques de la surface du substrat, induisant thermiquement des changements de phase qui peuvent être amorphe/cristalline, magnétique/non-magnétique ou supraconductrice/non-supraconductrice. On peut également générer et détecter de manière reproductible des structres topographiques nanométriques à des emplacements prédéterminés. On peut utiliser ce procédé et un dispositif de mise en oeuvre du procédé pour produire des structures d'enregistrement d'informations ayant une densité d'enregistrement jamais atteinte auparavant.
申请公布号 EP0292519(A1) 申请公布日期 1988.11.30
申请号 EP19870907732 申请日期 1987.12.07
申请人 LASARRAY HOLDING AG 发明人 STAUFER, URS;WIESENDANGER, ROLAND;ENG, LUKAS;ROSENTHALER, LUKAS;HIDBER, HANS, RUDOLF;GRUETTER, PETER;GUENTHERODT, HANS-JOACHIM
分类号 G03F7/20;G11B5/00;G11B9/00;H01J37/317;(IPC1-7):H01J37/317 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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