| 发明名称 |
Etching solution for evaluating crystal faults |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4787997(A) |
申请公布日期 |
1988.11.29 |
| 申请号 |
US19880163033 |
申请日期 |
1988.03.02 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
SAITO, YOSHIHIKO;MATSUSHITA, YOSHIAKI |
| 分类号 |
H01L21/66;B62L1/00;H01L21/306;H01L21/308;(IPC1-7):H01L21/306;B44C1/22 |
主分类号 |
H01L21/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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