Semiconductor device.

摘要

Bei einem Halbleiterelement mit einem Halbleiterkörper aus einem Material mit einer ersten Leitfähigkeit, der auf mindestens einer Hauptoberfläche eine Elektrodenstruktur aufweist, die wenigstens die Speicherung von Ladungsträgern mindestens einer Leitfähigkeit in Zellen erlaubt, werden gemäß der Erfindung in mindestens einer Ebene parallel zu der Hauptoberfläche vom Halbleiterkörper vollständig oder teilweise umschlossene Steuerelektroden vorgesehen, die ebenfalls die Speicherung von Ladungsträgern in Zellen ermöglichen. Dadurch wird es möglich, wenigstens zwei Ladungsbilder zu speichern.