ELECTRICALLY-ERASABLE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENTS,申请号IE19820000706-传众专利搜索

发明名称	ELECTRICALLY-ERASABLE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENTS
摘要
申请公布号	IE53455(B1)	申请公布日期	1988.11.23
申请号	IE19820000706	申请日期	1982.03.25
申请人	FUJITSU LIMITED	发明人
分类号	H01L27/112;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/60;G11C11/34	主分类号	H01L27/112
代理机构		代理人
主权项
地址