通过控制硅的制造来改善直接工艺性能的一种方法

摘要

本发明公开了一种用不挥发的磷化合物处理硅的方法，以使该硅能用在制造烷基卤硅烷的直接工艺中。用在提纯期间或以后，向硅中输送磷化合物的方法，实现对该硅的处理。

主权项

1、一种改善制造烷基卤硅烷工艺性能的方法，该方法包括，在有锡或锡化合物，和铜或铜化合物，其中至少还有磷助触媒(它占反应物料中硅的25～2500PPm)的情况下，在250℃～350℃的温度，使烷基卤与硅接触；该方法还包括，在提纯硅时，通过掺入并调节硅料中某些不挥发，可还原的磷化合物含量的方法，来控制硅中磷助触媒的含量。