Semiconductor contact silicide/nitride process with control for silicide thickness,申请号US19870088681-传众专利搜索

发明名称	Semiconductor contact silicide/nitride process with control for silicide thickness
摘要
申请公布号	US4784973(A)	申请公布日期	1988.11.15
申请号	US19870088681	申请日期	1987.08.24
申请人	INMOS CORPORATION	发明人	STEVENS, E. HENRY;MCCLURE, PAUL J.;HILL, CHRISTOPHER W.
分类号	H01L29/78;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/283	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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