| 发明名称 |
METHOD OF CONTACT HOLE WITH SLANT SIDE WALL IN SIO2 INSULATING LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS63272038(A) |
申请公布日期 |
1988.11.09 |
| 申请号 |
JP19880057322 |
申请日期 |
1988.03.09 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
FUIRINDAAJINGU GUREWAARU;PEETAA MOKURITSUSHIYU;HANSUPEETAA ERUPU |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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