| 发明名称 |
Verfahren zum elektrolytischen Ätzen eines Halbleiterkörpers mit zwei entgegengesetzt gerichteten pn-Übergängen |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
CH383112(A) |
申请公布日期 |
1964.10.15 |
| 申请号 |
CH19600005962 |
申请日期 |
1960.05.24 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
WUNDERLING,FRITZ |
| 分类号 |
C25F3/12;C25F3/30;H01L21/3063;(IPC1-7):C23B3/04 |
主分类号 |
C25F3/12 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
