| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA REALIZZAZIONE DI STRUTTURE DI ISOLAMENTO INCASSATE NEL SUBSTRATO DI SILICIO PER DISPOSITIVI CMOS ED NMOS. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT8883675(D0) |
申请公布日期 |
1988.11.03 |
| 申请号 |
IT19880083675 |
申请日期 |
1988.11.03 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
ORIO BELLEZZA |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/22;H01L21/225;H01L21/762;H01L21/8236;H01L21/8238;H01L27/08;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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