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发明名称 STRUCTURE AND PROCESS FOR FABRICATION OF STACKED COMPLEMENTARY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES
摘要
申请公布号 EP0066068(B1) 申请公布日期 1988.11.02
申请号 EP19820103172 申请日期 1982.04.15
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BANSAL, JAI PAL;BERTIN, CLAUDE LOUIS;TROUTMAN, RONALD ROY
分类号 H01L27/00;H01L21/268;H01L21/8238;H01L27/06;H01L27/092;H01L29/04;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/82 主分类号 H01L27/00
代理机构 代理人
主权项
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