| 摘要 |
<p>Inventia se refera la o metoda si o instalatie pentru controlul nedistructiv al structurilor semiconductoare, caracteristice dispozitivelor semiconductoare, obtinute în urma diferitelor procese tehnologice cum ar fi epitaxia, predifuzia, implantarea ionica, tratament termic. Metoda, conform inventiei, consta în filtrarea spatiala a radiatiei de fotoluminescenta, prin preluarea ei doar dintr-o zona restrânsa de dimensiuni microscopice, corespunzatoare focarului unui obiectiv de microscop si înlaturarea luminii generate în toate punctele nesituate pe axul optic, ca si în cele situate pe axul optic, dar diferite de focarul mentionat, focalizarea radiatiei obtinute, detectia si analiza spectrala a acestei radiatii. Instalatia, conform inventiei, este constituita dintr-un laser acrodabil care transmite radiatia luminoasa prin doua fante pe ooglinda ce o dirijeaza printr-o alta fanta si un obiectiv de microscop pe structura semiconductoare, doua ecrane absorbante, un al doilea obiectiv de microscop al carui focar este situat într-o fanta circulara microscopica practicata în cel de-al treilea ecran, un monocromator, un detector, si un calculator.</p> |
