| 发明名称 |
HIGH VOLTAGE LARGE POWER DRIVING CIRCUIT EMPLOYING BI-CMOS |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPS63260219(A) |
申请公布日期 |
1988.10.27 |
| 申请号 |
JP19880012736 |
申请日期 |
1988.01.25 |
| 申请人 |
SAMUSANGU SEMICONDUCTOR & TELECOMMUN CO LTD |
发明人 |
MIN SUU;RII JIESHIN |
| 分类号 |
H03F1/52;H03F1/42;H03F3/20;H03F3/21;H03F3/213;H03K17/0812;H03K17/10;H03K17/567 |
主分类号 |
H03F1/52 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
