| 摘要 |
<P>LA PHOTODIODE EST REALISEE DANS UN SUBSTRAT 1 SEMI-CONDUCTEUR HGCDTE DE TYPE P. SUR UNE FACE DE CE SUBSTRAT 1 EST FORMEE UNE ZONE DOPEE 2 DE TYPE N. UNE METALLISATION 3 EST EN CONTACT AVEC UNE COUCHE 5 DE TELLURURE DE CUIVRE CUTE, DISPOSEE SUR L'AUTRE FACE DU SUBSTRAT 1 SEMICONDUCTEUR HGCDTE, EN REGARD DE LA JONCTION PN.</P><P>UNE TELLE PHOTODIODE, SENSIBLE DANS L'INFRA-ROUGE PROCHE, POSSEDE UNE RESISTANCE SERIE FAIBLE, CE QUI LUI CONFERE UNE REPONSE RAPIDE.</P>
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