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Bei einem Verfahren zum Aetzen kompliziert strukturierter Vertiefungen in ein Siliziumsubstrat (1), bei welchem HF und HNO3 enthaltende Säuremischungen verwendet werden, werden die mit einer Maske aus Photolack auftretenden Probleme ungangen, indem einerseits eine Maskenschicht (2) aus SiO2 verwendet wird, und andererseits die Maskenschicht (2) mit einem dem zu ätzenden Tiefenprofil entsprechenden Dickenprofil vorfabriziert wird. Auf diese Weise können Maskierungs- und Aetzschritte vollstandig voneinander getrennt werden.
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