| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines dotierenden zinn- und antimonhaltigen Silberlotes fuer Silizium-Halbleiteranordnungen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1218160(B) |
申请公布日期 |
1966.06.02 |
| 申请号 |
DE1965V028383 |
申请日期 |
1965.05.04 |
| 申请人 |
VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT/ODER |
发明人 |
SCHARFSCHWERDT DR. WERNER;HADAMOVSKY DR. HANS-FRIEDRICH;SCHIELE DIPL.-ING. JOERG |
| 分类号 |
B23K35/30;C22C5/00;H01L21/00 |
主分类号 |
B23K35/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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