| 发明名称 |
Method of producing a p-n junction in a monocrystalline semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3260624(A) |
申请公布日期 |
1966.07.12 |
| 申请号 |
US19620193270 |
申请日期 |
1962.05.08 |
| 申请人 |
SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
WIESNER RICHARD |
| 分类号 |
C30B25/02;H01L21/00;H01L29/00 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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