METHOD OF DETERMINING END POINT OF CLEANING IN AN APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

摘要

Lors du nettoyage du local de traitement de substrats semi-conducteurs dans une installation de production de dispositifs à semi-conducteurs par attaque par la voie séche grâce à une décharge de plasma, on contrôle l'impédance entre les électrodes de décharge ou la température dans le local de traitement de substrats semi-conducteurs, à l'aide des électrodes alimentées avec un courant constant ou une tension constante à partir d'une alimentation haute fréquence pendant la décharge de plasma, et on détecte un point où la courbe d'impédance ou la courbe de température change brusquement de pente, afin de déterminer le point terminal de nettoyage.