Process for making a field effect transistor type semiconductor device.

摘要

L'invention concerne un procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ comprenant formée en surface d'un substrat en arséniurede gallium semi-isolant W une couche active de type n (102)sur laquelle est réalisée une électrode de grille G de type Schottky présentant dans sa partie inférieure (15) la forme générale d'un trapézoïde dont la petite base est en contact avec la couche active, comprenant ensuite de part et d'autre de la couche active deux régions de type n<+> (101 et 101') constituant les régions de source et de drain dont les bords adjacents à la couche active sont autoalignés avec les arêtes de la grande base du trapézoïde, et comprenant en outre des électrodes de source S et de drain D du type contact ohmique réalisées en surface des régions de type n<+>. Ce procédé comprend des étapes pour réaliser l'électrode de grille composée de couches métalliques faiblement résistives (105) et comportant une partie supérieure (51) qui surmonte la grande base du trapézoïde, et qui présente une région centrale métallique (105) et une zone périphérique (106) en SiO2 laquelle déborde la surface de la grande base du trapézoïde, et pour réaliser les électrodes (107) de source S et de drain D autoalignées avec les bords externes de la zone périphérique de la grille (106), cette dernière surplombant une couche (103,104) de Si3N4 qui sépare les électrodes les unes des autres.