ETCHANT AND METHOD FOR ETCHING DOPED SILICON,申请号EP19860114540-传众专利搜索

发明名称	ETCHANT AND METHOD FOR ETCHING DOPED SILICON
摘要
申请公布号	EP0224022(A3)	申请公布日期	1988.10.05
申请号	EP19860114540	申请日期	1986.10.21
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION	发明人	HWANG, BAO TAI;ORR-ARIENZO, WENDY ANN;GLANG, REINHARD
分类号	H01L21/306;H01L21/308;(IPC1-7):H01L21/306	主分类号	H01L21/306
代理机构		代理人
主权项
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