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LOS CIRCUITOS INTEGRADOS REALIZADOS CON LA TECNOLOGIA DE PUERTA AISLADA (V.G., CMOS) SE HAN PROTEGIDO CONTRA LA DESCARGA ELECTROSTATICA (ESD) MEDIANTE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE PUERTA METALICA. SORPRENDENTEMENTE, SE OBTIENE UNA PROTECCION SUPERIOR OMITIENDO LA PUERTA METALICA, BASANDOSE DE ESTE MODO TAN SOLO EN LA DESCARGA EN ALUD DEL DISPOSITIVO BIPOLAR PARA LA PROTECCION DE POLARIDAD OPUESTA. SE POSTULA QUE EL EFECTO DE CAMPO DEL DISPOSITIVO DE PUERTA METALICA RESTRINGE INDESEABLEMENTE EL FLUJO DE CORRIENTE EN EL DISPOSITIVO DE LA TECNOLOGIA ANTERIOR. LA TECNICA DE LA INVENCION SE PUEDE REALIZAR CONVENIENTEMENTE EMPLEANDO UN DIODO EN LUGAR DE UN TRANSISTOR COMO ELEMENTO PROTECTOR.
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