DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR DU TYPE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

摘要

L'INVENTION CONCERNE UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPRENANT FORMEE EN SURFACE D'UN SUBSTRAT EN ARSENIURE DE GALLIUM SEMI-ISOLANT W UNE COUCHE ACTIVE DE TYPE N 102 SUR LAQUELLE EST REALISEE UNE ELECTRODE DE GRILLE G DE TYPE SCHOTTKY PRESENTANT DANS SA PARTIE INFERIEURE 15 LA FORME GENERALE D'UN TRAPEZOIDE DONT LA PETITE BASE EST EN CONTACT AVEC LA COUCHE ACTIVE, COMPRENANT ENSUITE DE PART ET D'AUTRE DE LA COUCHE ACTIVE DEUX REGIONS DE TYPE N 101 ET 101 CONSTITUANT LES REGIONS DE SOURCE ET DE DRAIN DONT LES BORDS ADJACENTS A LA COUCHE ACTIVE SONT AUTOALIGNES AVEC LES ARETES DE LA GRANDE BASE DU TRAPEZOIDE, ET COMPRENANT EN OUTRE DES ELECTRODES DE SOURCE S ET DE DRAIN D DU TYPE CONTACT OHMIQUE REALISEES EN SURFACE DES REGIONS DE TYPE N. CE TRANSISTOR EST CARACTERISE EN CE QUE L'ELECTRODE DE GRILLE EST COMPOSEE DE COUCHES METALLIQUES FAIBLEMENT RESISTIVES 105 ET COMPORTE UNE PARTIE SUPERIEURE 51 ET SURMONTANT LA GRANDE BASE DU TRAPEZOIDE, PRESENTANT UNE REGION CENTRALE METALLIQUE 105 ET UNE ZONE PERIPHERIQUE 106 EN SIO QUI DEBORDE LA SURFACE DE LA GRANDE BASE DU TRAPEZOIDE, EN CE QUE LES ELECTRODES 107 DE SOURCE S ET DE DRAIN D SONT AUTOALIGNEES AVEC LES BORDS EXTERNES DE LA ZONE PERIPHERIQUE DE LA GRILLE 106, CETTE DERNIERE SURPLOMBANT UNE COUCHE 103, 104 DE SIN SEPARANT LES ELECTRODES LES UNES DES AUTRES.APPLICATION : REALISATION DE CIRCUITS INTEGRES NUMERIQUES OU ANALOGIQUES.