发明名称 高带宽渐变型多模光纤的制造方法
摘要 本发明是一种以MCVD工艺制造高带宽渐变型多模光纤的方法。采用一次近似法实现光纤预制棒折射率的精确控制,烧缩时补芯与腐蚀相结合获得了极窄的中心折射率凹陷。解决了常规的0次近似法和经验修正法中折射率分布指数α的分散性及重复性差的问题。所制造的多模光纤折射率控制精度达5×10<SUP>-5</SUP>,1.3μm处平均带宽>1700MHz·km最高达5GHz·km,传输损耗0.5~1.0dB/km,可用于三、四次群光纤通信领域。
申请公布号 CN88100850A 申请公布日期 1988.09.28
申请号 CN88100850 申请日期 1988.02.10
申请人 杭州无线电材料厂 发明人 梁建明;王旭华
分类号 C03B37/018 主分类号 C03B37/018
代理机构 浙江省专利事务所 代理人 王益新
主权项 1、一种高带宽渐变型多模光纤的制造方法,采用MCVD工艺制备光纤予制棒(该工艺包括在石英包皮管内沉积组分为F-P2O3-SiO2三元系的包层,沉积组分为GeO2-P2O5-SiO2三元系的芯层时只改变主掺杂剂GeCl4的流量,将沉积好的石英管烧缩成实芯棒),然后将所得予制棒拉成光纤,其特征是采用一次近似法控制GeCl4的载气流量Fi相对于喷灯移动次数i的变化,一次近似的计算公式如下: Fi=Fo[1-(1- (i)/(N) )a/2]·{1+β[1-(1- (i)/(N) )a/2]} 式中Fi为第i层的GeCl4载气流量(ml/min), i为沉积芯层时喷灯移动的次数, N为芯层总沉积次数, Fo为i=N时的GeCl4载气流量(ml/min), α为折射率分布指数, β为原料组分决定的GeCl4含量。
地址 浙江省杭州市太平门直街88号