| 发明名称 | 硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层 | ||
| 摘要 | 区熔再结晶SOI的防气化多层结构，是一种防止SOI硅薄膜在区熔再结晶过程中覆盖层失效的新结构。它采用在硅与二氧化硅之间增加隔离层的方法，形成多层结构，抑制熔融硅与二氧化硅之间产生气化反应。本发明不仅能防止覆盖层的失效，而且可以降低对于区熔再结晶过程中的温度控制精度的要求。它能通过区熔再结晶方法在绝缘层上获得平坦而连续的硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN88105362A | 申请公布日期 | 1988.09.28 |
| 申请号 | CN88105362 | 申请日期 | 1988.02.04 |
| 申请人 | 南京工学院 | 发明人 | 郑其经;阎宁新 |
| 分类号 | H01L21/30;C30B13/00 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 南京工学院专利事务所 | 代理人 | 楼高潮;沈廉 |
| 主权项 | 1、一种能防止区熔再结晶过程中复盖层失效的多层结构，由衬底、二氧化硅和多晶硅组成，其特征在于硅与二氧化硅之间增加能防止熔融硅与二氧化硅起反应的隔离层，形成多层结构。 | ||
| 地址 | 江苏省南京市四牌楼2号 | ||