发明名称 大功率可控半导体元件
摘要 在由若干个单一元件并列和并联、其控制接点与一共同的控制引线相连,这样组成的大功率可控半导体元件中,对控制引线和控制触点之间不同的线路电阻进行补偿,而使各单一元件的负载相同。可供选择的解决方法是,在GTO可控硅元件上,通过在栅极接点(5)和n发射极(2)之间对P基极(3)的栅沟电阻(RG)进行调整而达到补偿。
申请公布号 CN88100671A 申请公布日期 1988.09.28
申请号 CN88100671 申请日期 1988.02.24
申请人 BBC勃朗·勃威力有限公司 发明人 安德烈·杰克林;彼得·洛韦勒;鲁道夫·法伊特茨;托马斯·弗拉萨克
分类号 H01L29/60;H01L29/10;H01L29/74;H01L29/36 主分类号 H01L29/60
代理机构 中国专利代理有限公司 代理人 吴秉芬;肖掬昌
主权项 1、大功率可控半导体元件,这种元件 (a)、在两个主电极之间的半导体衬底上有若干个不同的掺杂层; (b)、有一个用于元件控制的控制电极; (c)、可分为若干相互并排的并联单一元件(11); (d)、每个单一元件(11)上都配有一个控制触点; (e)、单一元件(11)的控制触点与一共同的控制接口相连,共同构成控制电极; 这种半导体元件的特点是: (f)、单一元件(11)的半导体衬底上装有介质,用以对有关控制触点和控制接口之间不同的线路电阻进行补偿。
地址 瑞士巴登