发明名称 |
大功率可控半导体元件 |
摘要 |
在由若干个单一元件并列和并联、其控制接点与一共同的控制引线相连,这样组成的大功率可控半导体元件中,对控制引线和控制触点之间不同的线路电阻进行补偿,而使各单一元件的负载相同。可供选择的解决方法是,在GTO可控硅元件上,通过在栅极接点(5)和n发射极(2)之间对P基极(3)的栅沟电阻(RG)进行调整而达到补偿。 |
申请公布号 |
CN88100671A |
申请公布日期 |
1988.09.28 |
申请号 |
CN88100671 |
申请日期 |
1988.02.24 |
申请人 |
BBC勃朗·勃威力有限公司 |
发明人 |
安德烈·杰克林;彼得·洛韦勒;鲁道夫·法伊特茨;托马斯·弗拉萨克 |
分类号 |
H01L29/60;H01L29/10;H01L29/74;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L29/60 |
代理机构 |
中国专利代理有限公司 |
代理人 |
吴秉芬;肖掬昌 |
主权项 |
1、大功率可控半导体元件,这种元件 (a)、在两个主电极之间的半导体衬底上有若干个不同的掺杂层; (b)、有一个用于元件控制的控制电极; (c)、可分为若干相互并排的并联单一元件(11); (d)、每个单一元件(11)上都配有一个控制触点; (e)、单一元件(11)的控制触点与一共同的控制接口相连,共同构成控制电极; 这种半导体元件的特点是: (f)、单一元件(11)的半导体衬底上装有介质,用以对有关控制触点和控制接口之间不同的线路电阻进行补偿。 |
地址 |
瑞士巴登 |