| 摘要 |
Mémoires non-volatiles électriquement programmables, plus couramment appelées mémoires EPROM. La mémoire utilisant des transistors à grille flottante à injection par porteurs chauds, a une architecture différente des mémoires classiques: au lieu que chaque transistor soit connecté entre une ligne de bit et une ligne de masse à Vss, ici, chaque transistor est connecté entre deux lignes de bit adjacentes; par exemple, sur le schéma ci-contre, le transistor T12, dont la grille est commandée par la ligne de mot LM1, a sa source reliée à la ligne de bit LB1 et son drain relié à la ligne de bit LB2 immédiatement adjacente à LB1. Il en résulte des avantages du point de vue de l'encombrement car il n'est plus nécessaire d'isoler par de l'oxyde épais les drains de deux transistors adjacents. |
