INTEGRATED SEMICONDUCTOR MEMORY AND INTEGRATED SIGNAL PROCESSOR HAVING SUCH A MEMORY.

摘要

L'augmentation de la capacité de stockage de processeurs (de signaux) à hautes performances tout en maintenant les cellules de mémoire vive d'origine requiert la modification du circuit dans son ensemble. L'invention se rapporte à la conception en une seule fois de circuits périphériques permettant la commande de blocs de 4 cellules de mémoire vive Full CMOS (faciles à gérer) ou de 9 cellules en polysilicium à double couche (plus difficiles à gérer, mais présentant des dimensions plus compactes). Il est défini dans les circuits périphériques de la mémoire vive si l'on peut avoir accès à la totalité des 9 cellules (capacité mémoire de 2**n à 2**(n+1) + 2**(n-2)) ou à 8 cellules seulement (capacité mémoire de 2*n à 2**(n+1)).